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IGBT需要が大きく 政策支援は産業化を加速

全国人民代表大会の代表、湖南省経済と情報化委員会主任謝超英氏は記者の取材に対して、本人が大会にIGBT(絶縁ゲートバイポーラ・トランジスタ)を加速する提案を提出し、国家が高度的にIGBT産業の発展を重視するよう提案したと話した。

IGBT応用需要が巨大

我が国のIGBT消費市場の規模は現在約80億元で、2020年になったら300億元の規模に達する見込みである。

謝超英氏は記者に対して、IGBTは複合オールコントロール型電圧ドライブ式電力半導体デバイスで、世界で公認された電力・電子第三次技術革命の代表的な製品で、高週波数、高電圧、大電流、簡単にオン/オフすること等の優れた性能を有し、業界に出力・変流装置の「CPU」と褒められたと話した。

近年、国民経済の急速な発展につれて、電力半導体技術は広く応用されている。「現在、中国は世界の最も大きい電力半導体デバイスの消費国となったが、産業チェーンのハイエンドの電力チップとして全て輸入に頼り、国民経済の安全、持続可能発展に影響するに違いない。国家が高度的にIGBT産業の発展を重視し、国内の優勢企業がIGBTを代表とする電力チップ及びそのデバイスの開発を展開して産業化するよう提案する。」

謝超英氏は記者に、我が国のIGBT技術は一定的な突破を取得して応用需要が巨大であると話した。IGBTチップの技術面で、中国南車は世界2本目の8インチIGBTチップの専門生産ラインを建設し、去年、国内初の8インチ1700V IGBTチップがラインオフし、8インチ3300Vチップの試作とテストが完成し、6500Vチップも合格サンプルを開発した。IGBTモジュールの技術面で、パッケージIGBTモジュール用チップの多くは海外企業より提供し、国産IGBTチップの年生産額は1億元未満である。しかし、我が国は世界最大の電力半導体消費市場で、市場潜在力は巨大である。その中、わが国のIGBT消費市場は現在約80億円規模で、2020年になったら300億円規模に達する見込みである。

謝超英氏から見ると、わが国のIGBT産業発展の制約要素は多く、速く解決しなければならない。第一、革新システムを形成していない、第二、完全な生産ラインが不足である、第三、付属産業が弱いことで、キー材料の国産化はすでに我が国のIGBT産業の急速発展の大きな制約の要素となった。

支援政策を登場し産業化を加速する

国家が支援政策を打ち出し、国営企業の優勢に頼り、IGBT産業化の形成を推進の上、スケールメリットを形成する。

謝超英氏は、IGBTは電気エネルギー変換のキー部品として、現代の科学、工業及び国防の重要なコア技術となった。そのため、早く我が国の電力半導体チップが大分輸入に頼る局面を変えるために、本人は国家が支援政策を打ち出し、国内の優勢企業に頼り、垂範と案内を通じて、大いにわが国のIGBT産業化を推進の上、スケールメリットを形成するよう提案した。また、国家重大科技特別プロジェクトを設けIGBTの技術開発及び産業化を支持する。電力半導体重要特別プロジェクトを設け、IGBTなどの電力部品の技術向上及び産業開発を支持する。IGBT開発と産業化の「後補助」政策を探索し、「事前届出、事後認定」の方式を通じて、IGBTの革新主体に経費補助を提供し、IGBT技術の持続的な革新を推進して科学技術成果の産業化を加速すると話した。


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